薄膜技術是現(xiàn)代電子技術中不可或缺的一部分，而PECVD(物理電子生氣源沉積)設備是薄膜技術中最常用的設備之一。在薄膜沉積設備中，PECVD設備的占比非常高，這主要是因為PECVD設備在薄膜沉積過程中扮演著至關重要的角色。

PECVD設備是一種將電子氣體注入到半導體材料表面，進行物理或化學氧化或激發(fā)的設備。在薄膜沉積過程中，PECVD設備可以提供所需的電子氣體，并且可以控制反應條件，以確保沉積膜的性質符合要求。

由于PECVD設備在薄膜沉積過程中的作用非常關鍵，因此其占比在薄膜沉積設備中非常高。目前，PECVD設備已經成為薄膜沉積設備中最受歡迎的設備之一，其市場份額已經超過了50%。

除了 PECVD 設備之外，薄膜沉積還需要其他一些設備，例如光學顯微鏡、濺射設備、蒸鍍設備等等。然而，在這些設備中，PECVD 設備的占比相對較低。

因此，為什么 PECVD 設備在薄膜沉積設備中的占比最高是一個值得探討的問題。這可能是因為 PECVD 設備在薄膜沉積過程中扮演著不可替代的角色，并且已經成為薄膜沉積設備中不可或缺的一部分。此外，PECVD 設備的成本相對較低，制造周期較短，因此受到了很多廠商的青睞。

總之，PECVD 設備在薄膜沉積設備中的占比非常高，這是因為其在薄膜沉積過程中的作用非常關鍵，并且已經成為薄膜沉積設備中不可或缺的一部分。未來，隨著薄膜技術的不斷發(fā)展，PECVD 設備的市場份額還會進一步增加。